Разработка нового процесса

Разработка нового процесса

В процессе роста монокристаллов шлюзовая камера отсечена от объема печи. Для отбора пробы газовой атмосферы печи в печь введена трубка. При разработке нового процесса необходимо было прежде всего устранить попадание в горловину нагревателя кристаллов SiC. На рис. показан прежний вариант расположения тигля в нагревателе. Для уменьшения теплопотерь сверху тигля расположен цилиндрический экран.

Для уменьшения теплопотерь сверху тигля расположен цилиндрический экран. Экран расположен так, что температура внутренней поверхности нагревателя и внешней поверхности тигля примерно равны. Это приводило к тому, что пары SiC, которые выделялись из рабочей ячейки, кристаллизовали примерно в равных количествах как на нагревателе, так и на экране в одной и той же зоне. После двух-трех процессов горловина нагревателя зарастала и извлечение тигля из печи становилось невозможным.

В новой конструкции зона высокой температуры нагревателя была приближена к фланцу нагревателя, а высота экрана уменьшена. Это привело к тому, что в сечениях, перпендикулярных оси нагревателя, температура экрана всегда меньше температуры стенок нагревателя и экран служит ловушкой для паров SiC, препятствуя их проникновению в более холодную зону нагревателя и зарастанию его горловины.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок: